DIGITAL TWIN

WAS WISSEN SIE ÜBER IHR UMRICHTERDESIGN VOR DER REALISIERUNG?

STS Digital Twin unterstützt Ihre Simulation mit den relevanten Parametern der Induktivitäten, z.B. 

• Internes Kapazitätsnetzwerk (C_W, C_C, C_D)
• Kapazität gegen Erde (PE)
• Haupt- und Streuinduktivität (L_M, L_S)
• Kern- und Kupferverluste (P_V,Cu, P_V,Fe)

EINFACHERE AUSLEGUNG DER EMV-FILTER!

Moderne Leistungshalbleiter wie SiC-MOSFETs und GAN-Transistoren schalten mit immer höheren Frequenzen. Damit verbunden sind höhere Störströme, welche aufgrund der parasitäre Kapazitäten auftreten. Dies ist insbesondere der Fall bei magnetischen Bauelementen, die auf einem Kühlkörper montiert sind.

Um die meistens sehr komplexe und zeitaufwändige Auslegung der EMV-Filter zu vereinfachen, bietet STS einen Digital TWIN für kundenspezifische Induktivitäten an  - und dies noch vor dem Bau des Prototyps. Damit kann das grundlegende EMV-Verhalten des Gesamtsystems für Differential-Mode (DM) und Common-Mode (CM) Störungen zuverlässig untersucht werden.

REALITÄTSNAHE ABBILDUNG

Ebenfalls sehr hilfreich ist die Möglichkeit der Simulation des funktionalen Verhaltens, wie z.B. die korrekte Umladung von Kapazitäten durch den Magnetisierungsstrom, um verlustfreies Schalten in SRC-Topologien zu realisieren. Auch wird das Sättigungsverhalten wie auch die Kern- und Wicklungsverluste realitätsnah abgebildet.
 

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